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内容説明 A presentation of state-of-the-art GaN and SiC electronic devices, as well as detailed applications of these devices to power conditioning, rf base station infrastructure and high temperature electronics. It includes results on InGaAsN devices, which constitute a very promising area for low power electronics.
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最終調査日時
2015/08/18 (Tue) 23:36:49
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在庫状態
2015/08/18 (Tue) 23:36:49
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2012/11/11 (Sun) 08:46:09
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2012/01/01 (Sun) 19:10:46
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